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對(duì)于硅和二氧化硅體系，采用CF4-O2反應(yīng)離子刻蝕時(shí)，通過調(diào)節(jié)兩種氣體的比例，可以獲得45：1的選擇性，這在刻蝕多晶硅柵極上的二氧化硅薄膜時(shí)很有用。產(chǎn)品經(jīng)除塵，堿洗除去HF、CoF2、SiF4、CO2等雜質(zhì)、再經(jīng)脫水可獲得含量約為85%的粗品。將粗品引入低溫精餾釜中進(jìn)行間歇粗餾，通過控制精餾溫度，除去O2、N2、H2，得到高純CF4。因?yàn)樗姆己退姆?硅都是共價(jià)化合物，然而碳氟鍵的鍵能遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于硅氟鍵的鍵能，鍵長(zhǎng)也是前者短得多，高純四氟化碳哪家好，所以四氟化碳的熱穩(wěn)定性更好。

四氟化1碳一般認(rèn)為是惰性低毒物質(zhì)，高純四氟化碳批發(fā)，在高濃度下是窒息劑，其毒性不及四氯1化碳。四氯1化碳與氟1化氫的反應(yīng)在填有氫1氧化鉻的高溫鎳管中進(jìn)行，反應(yīng)后的氣體經(jīng)水洗、堿洗除去酸性氣體，邯鄲四氟化碳，再通過冷凍，用硅膠除去氣體中的水分經(jīng)精餾而得成品。預(yù)先稱取5~10g的碳化硅粉末和0.1g的單質(zhì)硅粉，置于鎳盤中，使硅和碳化硅充分接觸后，將鎳盤放入蒙乃爾合金反應(yīng)管中，向反應(yīng)管內(nèi)通入氟氣，氟氣先和單質(zhì)硅反應(yīng)。

四氟化碳在900℃時(shí)，不與銅、鎳、鎢、鉬反應(yīng)，僅在碳弧溫度下緩慢分解，微溶于水，在25℃及0.1Mpa下其溶解度為0.0015％（重量比），然而與可燃性氣體燃燒時(shí)，會(huì)分解產(chǎn)生有毒氟化物。在電子器件表面清洗、太陽能電池的生產(chǎn)、激光技術(shù)、氣相絕緣、低溫制冷、泄漏檢驗(yàn)劑、控制宇宙火箭姿態(tài)、印刷電路生產(chǎn)中的去污劑等方面也大量使用。在900℃時(shí)，不與銅、鎳、鎢、鉬反應(yīng)，僅在碳弧溫度下緩慢分解，微溶于水，四氟化碳供應(yīng)，在25℃及0.1Mpa下其溶解度為0.0015%(重量比)，然而與可燃性氣體燃燒時(shí)，會(huì)分解產(chǎn)生有毒氟化物。

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